GC20N65FD_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為20A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為160mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置以及對體積和散熱有較高要求的電力電子設備中。其電氣參數組合有助于實現緊湊且可靠的電路設計。
