TK5P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+19V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.3A的連續漏極電流（ID），在25℃條件下導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。柵源電壓范圍為-8V至!9V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，該器件具備較高的開關效率與熱穩定性，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源轉換場景，如高頻開關電源、光伏逆變系統及高效率充電裝置等。
