SPP15N60CFDHKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流能力，導通電阻（RDS(ON)）為306mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，并具有良好的高溫工作穩定性。適用于高效率電源、可再生能源系統及緊湊型電力轉換設備等對性能和空間有較高要求的場合。
