IPP65R310CFDXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達9A，導通電阻（RDS(on)）為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低開關損耗與高耐壓特性，適用于高頻電源轉換、服務器電源、光伏逆變器及各類高效能電力電子系統。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時有助于簡化柵極驅動電路設計。
