APC65R210FMF_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為160mΩ，柵源驅動電壓VGS范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作時具備較低的導通與開關損耗，同時支持較寬的柵極驅動窗口，有助于簡化驅動電路設計。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統、數據中心供電及便攜式高功率設備等應用場景。
