NVMFS5C426NAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，可承載高達219A的連續漏極電流（ID）。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，提升整體能效。適用于高電流、高頻率運行的電源轉換系統、電機控制電路及大功率電子設備中的開關應用，在嚴苛電氣條件下仍能維持穩定工作特性。
