STF11NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:7.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:410mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和7.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為410mΩ。柵源電壓范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，該器件在高頻、高效率的電力轉換場景中表現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對能效和體積有較高要求的電源系統。
