TK65E10N1,S1X_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:4.1mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4.1毫歐。器件適用于高電流、中等電壓的應(yīng)用場(chǎng)景，其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。結(jié)構(gòu)上采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，便于在高功率密度電路中實(shí)現(xiàn)緊湊布局。該MOSFET可有效支持電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的高效能量控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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