SIR516DP-T1-BE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備75A的漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為6.4毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于在大電流工作時顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于高效率電源管理、電機控制、不間斷電源及各類需要高電流承載能力與快速開關(guān)響應(yīng)的電子設(shè)備中，能夠在持續(xù)高負載條件下保持穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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