NVTFS4C305NETAG-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.9mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至2.9毫歐。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著減少導(dǎo)通損耗，在高電流應(yīng)用中維持較低的溫升。適用于電源轉(zhuǎn)換、同步整流、電機(jī)驅(qū)動以及高效率開關(guān)電路等場景。器件支持快速開關(guān)動作，能夠在高頻工作條件下保持良好的性能，適合對能效和空間布局有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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