R6576ENZ4C13-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件在高電壓條件下仍能維持較低的導通損耗，同時較寬的柵極驅動窗口有助于提升開關過程的穩定性與抗干擾能力。適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換系統，如高頻開關電源、可再生能源并網設備及高密度電力電子模塊。
