SCT3080ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿電場與高熱導率特性，在高頻開關條件下可實現較低的導通與開關損耗。適用于對效率、體積和熱管理有較高要求的電源系統，如服務器電源、光伏逆變器及高頻DC-DC轉換器等場合，能夠在嚴苛電氣環境下保持穩定運行。
