FF06030J-7A-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備低導通損耗與優異的高溫工作能力，適用于高效率、高開關頻率的電源轉換場合，如通信電源、光伏逆變系統及大功率充電設備等，在提升系統整體能效與功率密度方面具有顯著優勢。
