FCH023N65S3-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。其結構利用碳化硅材料特性，在高頻開關操作中展現出較低的導通損耗與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及對熱管理與空間布局要求較高的電力電子應用。
