TW123V65C,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率電力轉換場景中表現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對能效和功率密度有較高要求的電源系統，如服務器電源、可再生能源逆變器及高頻率開關電源等應用場合。
