IPZA65R025CM8XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為108A，漏源擊穿電壓為750V，導通電阻為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換場合。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時低RDS(on)有助于降低導通功耗，支持高功率密度設計。
