IMT65R026M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至26mΩ，適用于高效率功率轉換場景。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保在多種驅動條件下穩定工作。器件憑借碳化硅材料的優異特性，在高頻、高溫環境下仍能保持較低的開關損耗與導通損耗，適合對能效和熱管理要求較高的電力電子系統。
