STWA63N65DM2-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為58mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與低導(dǎo)通損耗特性，適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換場合。其較低的RDS(ON)有助于減少導(dǎo)通階段的能量損耗，而寬VGS范圍則提升了與不同驅(qū)動電路的兼容性，確保在復(fù)雜開關(guān)條件下穩(wěn)定運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
