SCTH35N65G2V-7AG-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的漏極電流額定值，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為36mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱性能。其電氣參數適合用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及各類高性能電力電子設備中，在保證穩定運行的同時支持緊湊型電路設計。
