NVMFS5C670NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5.3mΩ，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有效降低導通損耗，適合高效率、大電流的開關應用場景。器件在電源轉換、電機控制及各類高功率電子設備中可實現快速開關與良好熱性能，適用于對能效和穩定性要求較高的電路設計。
