IPP045N10N3GXKSA1-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及4.1毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。器件適用于開關電源、電機驅動、電池充放電控制等對效率和熱性能要求較高的電子系統，能夠在持續大電流或高頻開關應用中提供穩定可靠的運行特性。
