R6515KNX3C16-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為306mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)特性有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于對(duì)體積與熱管理有較高要求的電力電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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