IPD65R660CFDAATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流能力，導通電阻（RDS(on)）為550mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅動電平，有助于提升開關可靠性并抑制誤觸發(fā)。碳化硅材料特性使其在高頻開關應用中表現(xiàn)出較低的開關損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統(tǒng)及各類對體積與能效有較高要求的電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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