IPD40N03S4L08ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。其低RDS(ON)特性有助于減小導通損耗，提升系統效率，在高電流開關應用中表現優異。適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及各類高效能電子設備中，能夠穩定可靠地實現快速開關操作與能量轉換。
