RS6E122BGTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有150A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、1.4毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的應(yīng)用場景，如高性能計(jì)算電源、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器及高倍率電池管理系統(tǒng)。器件在高負(fù)載條件下仍能保持良好的熱性能與開關(guān)特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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