ISC080N10NM6ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS）、7.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于在大電流應用中有效降低功率損耗，提升系統效率。器件適用于高頻率開關電源、電機控制、電池管理系統及各類高效能電力電子設備。在合理驅動條件下，可實現快速開關響應與良好的熱穩定性，滿足對緊湊布局和高可靠性有要求的電路設計需求。
