SIR5108DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的連續漏極電流和100V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為6.4毫歐。低導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。適用于高電流開關電源、電機控制、不間斷電源及各類高效能電力電子轉換場合。其電氣特性支持快速開關動作，在高頻工作條件下仍能保持良好的熱穩定性和可靠性。
