TSM052NB03CR_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景，如同步整流、負載開關及高密度直流轉換系統，能夠在高頻操作中保持穩定的電氣特性與可靠運行。
