SIR662DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:125A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備125A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為2.4毫歐。低導(dǎo)通電阻有效減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效，同時(shí)高電流能力支持大功率運(yùn)行需求。其電氣特性適用于對(duì)熱管理和效率有較高要求的電源系統(tǒng)，如開關(guān)電源、電機(jī)控制單元及高密度功率模塊等應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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