GT52N10D5_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。其低導通電阻可顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率。適用于高電流、高頻率的開關電源、電機驅動、逆變器及各類高效能電力電子裝置，在緊湊型電路設計中能夠有效減少發熱并提高功率密度，滿足對電氣性能和熱管理要求較高的應用場景。
