VDM510N090LSA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的連續漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.3毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于高頻率開關電源、電機控制及大電流負載管理等場合。器件在兼顧開關速度與熱穩定性的同時，可在嚴苛電氣環境下保持可靠運行。
