NVMFS5C670NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于在高電流應用中減少功率損耗和溫升，適用于對效率和熱管理有較高要求的電源轉換、電機驅動及大電流開關電路。器件在穩定工作條件下可支持頻繁的開關操作，滿足多種高功率電子系統的需求。
