SIR882ADP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為100V，導通電阻低至7.3毫歐，在柵源電壓不超過20V的條件下可穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換、電機驅動及高頻率開關電路等場景。器件結構優化了開關特性，兼顧快速響應與可靠性，適合在復雜電氣環境中實現高效能量控制。
