PJQ4522S6P-AU_R2_002A1_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.5毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景，如高密度DC-DC轉換器、電池供電系統及大電流開關應用。器件結構優化了開關速度與導通特性之間的平衡，在高頻工作條件下仍能保持穩定性能。
