BSC028N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.4毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。高電流承載能力使其適用于大功率電源轉換、電機驅動電路及高密度電力電子裝置，在需要高效能與緊湊布局的場合中表現突出。
