TK380P65Y,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為260mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與高開關速度特性，適用于高頻高效電源轉換場景。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時有助于優化系統效率與熱管理。
