NVMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。器件在高電流負載下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換與開關應用場景。其低RDS(ON)特性有助于減少功率耗散，提升系統整體能效，同時支持高頻開關操作，適合用于各類緊湊型、高密度的電子電路設計中。
