NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備219A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）僅為1.2毫歐。其低導通電阻與高電流處理能力使其適用于高效率電源管理、大電流開關電路以及對熱性能要求嚴苛的功率轉換系統，能夠在高頻操作下維持較低的功率損耗和溫升。
