STL66N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其超低導通電阻有效降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于對效率和功率密度要求較高的開關電源、直流-直流轉換模塊以及便攜式高功率電子設備中的同步整流與負載開關等場景。
