TK6P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有11A的漏極電流能力，最大漏源電壓為900V，導通電阻為712mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料構建，具備較高的擊穿電壓與較低的導通損耗，在高頻開關條件下表現出良好的動態特性。適用于對效率、熱管理和開關速度有較高要求的電源轉換與功率控制場合，可有效支持緊湊型高功率密度電路設計。
