IPP65R280E6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為9A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)為306mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，該器件在高頻開關應用中展現出優異的效率與熱穩定性，適用于高功率密度電源、光伏逆變系統、不間斷電源以及各類高效電能轉換設備。
