FDD5N50FTM_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下其導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件采用標準結構設計，適用于中等功率開關場景，能夠在較高電壓條件下穩定工作。其電氣參數適合用于電源管理、DC-DC轉換器及各類電子負載控制電路中，具備良好的開關特性和熱穩定性，可滿足對電壓耐受能力和電流承載能力有一定要求的應用需求。
