FDMC8676_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備55A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。適用于高效率電源轉換、便攜式設備供電系統以及對熱管理和空間布局要求較高的電子裝置中，能夠實現穩定且快速的開關操作。
