SI7164DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5.3毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。器件在高電流工作條件下展現出較低的導通損耗和良好的熱性能，適用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統及高頻開關電路等應用。其低導通電阻有助于提升整體能效，同時支持標準邏輯電平驅動，便于在多種電子系統中實現高效可靠的功率控制。
