RQ3E150MNTB1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有55A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于減小導通損耗，提升系統效率，同時支持較高的開關頻率。適用于高效率電源轉換、電機驅動及大電流開關電路等應用，在緊湊型設計中可有效降低溫升并提高功率密度。
