NTMFS4C029NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在導通狀態下展現出低至4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。器件適用于對導通損耗敏感的高效率電源轉換場合，其低阻抗特性有助于減少發熱并提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和穩定的電氣參數，可廣泛用于各類開關電源、電池管理系統及功率控制模塊中。
