DMTH62M8SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有125A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.4毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，使其適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高功率開關場景。器件結構優化了開關速度與導通性能之間的平衡，在高頻操作下仍能保持穩定可靠的工作狀態，適合用于各類高效能電子系統中的功率管理與控制環節。
