FDD6676S-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5毫歐。其低RDS(on)有助于顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下維持較高的能效和較低的溫升。適用于高功率密度的電源轉換系統(tǒng)、高效電機驅動以及對熱性能和空間布局有嚴格要求的電子設備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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