TPP65R280D_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS為800V，導通電阻RDS(ON)為165mΩ，柵源電壓VGS范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應用中表現出較低的導通損耗和良好的熱穩定性。其結構支持高頻開關操作，適用于對效率、體積和散熱有較高要求的電源系統，寬柵壓范圍也提升了與不同驅動電路的兼容性。
