RS1E300GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有150A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、1.4mΩ的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻顯著降低導通損耗，適用于大電流、高效率要求的電源管理與功率轉換場景。器件在高負載條件下具備良好的熱穩定性和開關響應能力，適合用于對功率密度和能效有嚴格要求的電子系統中，如高性能計算設備、服務器電源及大功率電機驅動等應用。
